我国科学家开创第三类存储技术[组图]

发布时间: 2018-04-11 15:15:12 | 来源: 新华网 | 作者: | 责任编辑: 伦晓璇

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将清洗好的硅片放入容器内。近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。 新华社记者 丁汀摄

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